一、个人简介

    陶志阔，江苏徐州人，1981年9月生。2004年6月毕业于南京大学物理系磁学专业，获学士学位，2010年3月毕业于南京大学物理系微电子学与固体电子学专业，获博士学位；2008年10月至2009年4月通过教育部公派项目于悉尼大学进行合作研究；2010年3月至伟德bv1946官方网站电子科学与工程学院工作。作为项目负责人，主持国家自然科学基金、江苏省高校自然科学基金和伟德bv1946官方网站引进人才基金等科研项目，在Journal of Crystal Growth，Applied Physics Letters，Chinese Physics Letters等国际SCI期刊、国内核心期刊上发表论文二十余篇，获得多项专利授权。

二、研究方向及主要成果

    1.自旋电子学材料与器件；
    2.基于Memristor的复杂电路分析与设计。

三、代表性著作

四、联系方式

    办公地点：伟德bv1946官方网站仙林校区

    单位电话：85866408

    Email：zktao@njupt.edu.cn